硅烷化学气相沉积法(硅烷电化学沉积的原理)
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求助薄膜沉积PECVD问题
1、一般建议是以氮气为主要载体气体，硅烷的流量较小，比例在10：1至100：1左右。 纯度要求：对于PECVD工艺，气体的纯度是很重要的，因为杂质会影响薄膜的质量和性能。硅烷和氮气都需要高纯度。
2、调整沉积条件：可以适当降低PECVD沉积SiNx的沉积速率和气体压强，减少Mo/Cu金属薄膜表面的电荷密度。
3、不良的SiH4/NH3比例，在沉积过程中产生的SiH3，SiH2，SiH等离子基团在于硅片表面悬挂建的结合程度是不一样的，在选择好工艺气体比例后才能达到较好的钝化作用。
4、PECVD就是化学气相沉积法，是一种化工技术，该技术主要是利用含有薄膜元素的一种或几种气相化合物或单质、在衬底表面上进行化学反应生成薄膜的方法。化学气相淀积是近几十年发展起来的制备无机材料的新技术。
5、PECVD二氧化硅对金属的粘附性不错，淀积的也还行，但是反应的源得控制好，而且像NO或NO2这类的气体都有毒性，但是确实是可实现的。我是用磁控长的SiO2，在Al上长的，长出来效果也不错，粘附性也很好，就是时间长了点。
6、由于PECVD方法的主要应用领域是一些绝缘介质薄膜的低温沉积，因而PECVD技术中等离子体的产生也多借助于射频的方法。本实验室使用射频等离子体增强化学气相沉积（RF-PECVD），射频电源采用电容耦合方式，射频频率为212MHz。
金属表面硅烷处理有什么特点?
(6)常温可行，节约能源。硅烷槽液不需要加温，传统磷化一般需要35～55℃。(7)与现有设备工艺不冲突，无需设备改造而可直接替换磷化；与原有涂装处理工艺相容，能与目前使用的各类油漆和粉末涂装相匹配。
甲硅烷处理剂燃烧时，只生成二氧化硅和水，不污染环境。甲硅烷，又名四氢化硅，化学式为SiH4，是一种硅烷。甲硅烷的结构与甲烷相似，呈正四面体结构。外观：无色气体，有大蒜气味。
硅烷处理技术正是利用了硅烷偶联剂的特殊性能。
金属表面硅烷处理机理 1硅烷的单分子结构 硅烷是一类含硅基的有机/无机杂化物，其基本分子式为：R(CH2)nSi(OR)3（其中OR是可水解的基团，R是有机官能团。），它是与硅油和硅酸盐完全不同种类的硅产品。
聚碳硅烷在金属表面处理的运用存在一些缺点，例如：聚碳硅烷在高温下易被氧化，影响其性能。聚碳硅烷在金属表面处理中的应用工艺复杂，需要高精度控制，因此难度较高。
多晶硅生产中对人体危害有多大?
1、多晶硅生产过程中对主要危害是会产生氢气、四氯化硅，危害身体健康。氢气 与空气混合能形成爆炸性混合物，遇热或明火即会发生爆炸。气体比空气轻，在室内使用和储存时，漏气上升滞留屋顶不易排出，遇火星会引起爆炸。
2、多晶硅本身是一种无毒无害的物质，但在多晶硅厂上班，长期接触多晶硅粉末，在防护措施不到位的情况下，误吸入肺中，便很难将其排出，对人体健康会产生一定的影响。
3、多晶硅对人体本身没有什么危害性的，但是多晶硅生产过程当中所排放出来的废气对人体是有害的，其中所排放出来的氯有刺激性气味，能与许多化学品发生爆炸或生成爆炸性物质。对金属和非金属起到腐蚀作用。
4、其中氯、二氧化氮、氟化氢属于高毒物质，在生产中可能导致严重职业病危害。
5、有伤害。多晶硅本身具有较高的化学活性，在接触空气时会释放出细小的颗粒物（如二氧化硅），这些颗粒物被吸入后会引起呼吸系统问题，甚至导致慢性肺部疾病、肺癌等疾病的发生。多晶硅是单质硅的一种形态。
6、多晶硅总的来说危害相对都不大，唯有硅芯拉直工序有比较强的高频辐射危害，未生小孩的最好不要长期在此工序上班。
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